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从理论计算上来说，二极管正向是一直导通 ，正向电流是关于正向压降的类指数函数：
当Va很小时 ，Id很小，近似认为没有电流 ，二级管是截止的；当va增加到id较为明显时（人为规定的 ，如1mA）时认为它导通，称对应的Va为正向导通电压VF 。由于Id指数增加 ，所以计算出的VF较小 。
受参杂浓度、制作工艺 、温度 、半导体材料等因素影响VF并非固定不变的 ，经计算，硅在300K下 ，一般在0.6-->0.7v左右。通常我们取0.7v（也有的书取0.6v）就可以了 。从上面的公式看出当温度升高时 ，对应的VF也升高，所以说当温度较高时，VF是可能大于0.7v的 。参杂浓度也会影响VF ，但具体计算比较复杂 ，不做过多讨论。
上述公式推导涉及半导体物理、器件等内容，比较复杂 ，具体可以见下面这个ppt上的内容：
网页链接
正向导通电压如图示：
二极管的导通电压是什么意思
IF：在额定功率下 ，允许通过二极管的电流值 。
VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降 。
IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。
VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值 ，通常VRM为VP的三分之二或略小一些 。?
FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率 。
早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子 ，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性 。
一般来讲 ，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面 。在其界面的两侧形成空间电荷层 ，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态 ，这也是常态下的二极管特性。
扩展资料二极管分类如下：
二极管种类有很多 ，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管） 。根据其不同用途，可分为检波二极管 、整流二极管 、稳压二极管、开关二极管 、隔离二极管 、肖特基二极管、发光二极管 、硅功率开关二极管 、旋转二极管等 。
按照管芯结构 ，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面 ，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起 ，形成一个“PN结” 。
百度百科--二极管
二极管的导通电压是二极管正向导通后 ，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v） 。?
正向特性：在电子电路中 ，将二极管的正极接在高电位端 ，负极接在低电位端，二极管就会导通 ，这种连接方式 ，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时 ，二极管仍然不能导通 ，流过二极管的正向电流十分微弱 。
只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压 ”，锗管约为0.2v，硅管约为0.6v）以后 ，二极管才能直正导通 。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3v ，硅管约为0.7v），称为二极管的“正向压降 ”。?
反向特性：在电子电路中 ，二极管的正极接在低电位端 ，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过 ，此时二极管处于截止状态 ，这种连接方式，称为反向偏置 。二极管处于反向偏置时 ，仍然会有微弱的反向电流流过二极管 ，称为漏电流 。
当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大 ，二极管将失去单方向导电特性 ，这种状态称为二极管的击穿。
二极管的工作原理：晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场 。当不存在外加电压时 ，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态 。
二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中 ，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性 。
扩展资料：
当外界有正向电压偏置时 ，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流 。
当外界有反向电压偏置时 ，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时 ，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程 ，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流 ，称为二极管的击穿现象 。
正向导通压降是在管子正向导通的时候 ，二极管两端的电压，也就是它引起的压降；死区电压是它的门坎电压 ，也就是说 ，在这个电压以下时，即使是正向的，它也不导通 。
参考资料：
二极管原理 ?百度百科关于“Si二极管的正向导通电压是多少?”这个话题的介绍 ，今天小编就给大家分享完了 ，如果对你有所帮助请保持对本站的关注！
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